真空マグネトロン スパッタリング技術は、ターゲット表面の電場を磁場に垂直に設定することにより、陰極表面ドリフトの電子の磁場を持つメスのバイポーラ電極表面の使用であり、電子はストロークを増加させ、イオン化率を増加させます一方、高エネルギー粒子は衝突後にガスを放出してエネルギーを失うため、基板温度が低下し、非耐熱材料へのコーティングが完了します。